使用光学测试硅封装MEMS器件内部振动特性
MEMS器件的动态特性测试和机械响应可视化对于产品开发、故障排除和有限元模型验证来说非常重要。Polytec公司的MSA显微式激光测振仪能快速、准确地测试显微结构的面外振动(OOP)和面内振动(IP)。全新的MSA-650 IRIS显微式激光测振仪甚至可以透过完整的微型硅密封器件进行测试，如惯性传感器，MEMS麦克风，压力传感器等。
亮点
- 通过硅封装器件的不同层测试MEMS动态特性
- 实时面外振动测试，最大带宽高达25 MHz
- 亚皮米级面外振动位移分辨率
- MEMS器件的最终有限元模型验证
- 更好地分离器件的各个层
- 频闪法测试面内振动，带宽高达2.5 MHz
- 易于集成至生产线上的自动测试系统(兼容商用探针台)
更好地分离器件的各个层
MSA-650 IRIS测试系统包括控制器、带有额外参考通道的信号发生器，超高精度红外光源的光学头和强大的配套软件包。其专用的红外相机和低相干SLD源，是在其透过硅帽获取完整硅封装结构在工作条件下的整个层制结构的动态特性的关键。
硅封装MEMS器件的模态测试
由于硅在波长为1050nm以上的近红外光谱中是透明的，基于红外干涉仪的振动测量技术使得获取密封MEMS器件最真实和最有代表性的振动特性成为可能。
Polytec全新的最先进的且已获得专利技术的MSA系统能确保最佳数据质量，更好的分离MEMS器件的各个层。MSA-650 IRIS显微式激光测振仪内置专用红外相机和低相干SLD源，是目前世界上唯一能透过硅封装结构获取完整动态特性的系统，其实时面外振动带宽高达25MHz，面内振动分辨率低至30nm。
采用领先的振动分析技术
为了利用激光多普勒振动测量(LDV)对封装MEMS器件进行深入研究，需要了解硅的光学特性。虽然硅对可见光是不透明的，但它在从波长1050nm起的近红外范围内则显示出良好的透射性。然而也有极限性，在波长为1550 nm时硅的折射率高达3.4，这导致在器件边界处有相当大的菲涅耳反射。
Polytec采用低相干光来提高精度，该技术已荣获国际专利。与激光相反，超辐射二极管发出的低相干光只有在干涉仪中的光路与光源的相干长度相等时才会产生干涉，从而将焦点处以外的光排除在外。这一原理被用于白光干涉仪或光学相干层析术，现在首次用于激光多普勒测振仪(LDV)。对MEMS器件进行扫描测试时，带宽高达25 MHz，振幅分辨率达100 fm/ Hz。
附件和选配件
光学配件
A-MOB-xxxx 明场物镜
用于面外和面内振动测量：放大倍数可选 2.5x, 5x, 10x, 20x, 50x
三脚架、基座台、定位台
A-STD-TST-01 测试台
给客户足够的工作空间，z 轴电动控制，行程范围达 200 mm
A-STD-BAS-02 基座台
该设备为光学头提供坚固可靠的支撑。其所配置的手动调焦模块行程可达 100 mm，同时设有粗调与微调两种驱动方式，能满足不同精度要求的调焦操作。此外，该设备还设有接口，可便捷地与市面上常见的光学平台连接 。
A-STD-F50 调焦模块
行程范围 50 mm。具备粗调和微调功能，用于手动对传感器头进行 z 轴方向的调节。可与市面上现有的晶圆探针台连接。
隔振台，面包板
A-TAB-AIR-01 主动隔振台
配备主动水平调节功能的空气阻尼隔振台。适配于：A-STD-TST-01 测试台、A-STD-BAS-02 基座台。
A-TAB-ELC-01 主动隔振台
采用电子控制的音圈稳定装置，具有最高的隔振性能。适配于：适用于 A-STD-TST-01 测试台、A-STD-BAS-02 基座台。
A-BBO-ME02 面包板
带有公制孔位图案的面包板。尺寸规格为 900 mm ×600 mm。适配于 A-STD-BAS-02 基座台。
A-AVI-MELA 主动隔振面包板
通过电子控制以实现最高的隔振性能，带有公制孔位图案。尺寸规格为 600 mm ×800 mm。适配于 A-STD-BAS-02 基座台。
其它
A-SPK-0008 晶圆探针台模块
晶圆探针台模块搭配 A-PST-200P XY 定位台，共同构建起一个电动操作平台。该平台能够针对直径最大可达 200 毫米的晶圆以及基板，实现电气连接操作，并完成高精度测量任务 。
A-SPK-0010 真空探测模块
设有真空管道与吹扫管道，搭配可对四根电探针进行精准操控。
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