Analyseur de microstructuresMSA-650 IRIS 

Caractérisation optique de la dynamique sur les MEMS encapsulés

Analyseur de microstructuresMSA-650 IRIS

Caractérisation optique de la dynamique sur les MEMS encapsulés

Dynamic characterization of MEMS devices to measure and visualize mechanical response is important for product development, trouble shooting and FE model validation. The MSA Micro System Analyzers from Polytec provide fast, accurate optical measurements of out-of-plane (OOP) and in-plane motion (IP). Until now, this has been limited to unpacked devices that are optically accessible. Now, the Polytec MSA-650 IRIS Micro System Analyzer allows even measuring through intact silicon caps on encapsulated microstructures like e.g. inertial sensors, MEMS microphones, pressure sensors and more.

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Highlights

Mesure à travers différentes couches de silicium
Mesure de réponse hors plan en temps réel jusqu'à 25 MHz (sans post-traitement)
Résolution de déplacement hors plan sous-picométrique
Validation simple du modèle FE de MEMS à l'état final
Séparation supérieure des couches individuelles de l'appareil
Microscope vidéo stroboscopique pour mesurer le mouvement dans le plan jusqu'à 2,5 MHz
Système automatisé intégrable pour contrôle en production

Séparation supérieure des couches individuelles de l'appareil

La solution de mesure complète du MSA-650 comprend notamment un contrôleur, un générateur de fonctions avec des voies de référence supplémentaires, un puissant logiciel de balayage optique et une tête optique avec une conception IR sophistiquée. Avec sa caméra IR dédiée et une source SLD à faible cohérence, c'est le premier système de mesure des vibrations plein champ pour capturer des couches entières d'échantillons à travers des capuchons en silicium dans des conditions de fonctionnement. Cette technologie d'interféromètre brevetée offre une excellente qualité de données grâce à une séparation supérieure des couches individuelles de l'appareil.

Principe du MSA-650 IRIS Système d'analyse de microstructure mesurant les MEMS encapsulés

Analyse modale des MEMS encapsulés dans du silicium

Le silicium est transparent dans le spectre proche infrarouge au-dessus des longueurs d'onde de 1050 nm, la technologie sous-jacente de la mesure des vibrations basée sur l'interféromètre infrarouge ouvre la possibilité d'inspecter les MEMS encapsulés pour des résultats d'analyse authentiques et plus représentatifs. Le MSA-650 IRIS est le premier système de mesure au monde avec cette technologie de pointe pour visualiser la dynamique des dispositifs Silicium encapsulés. Ce tout nouveau système d'interférométrie breveté par Polytec offre désormais une qualité exceptionnelle des données en raison de la discrétisation des couches du dispositif MEMS mesuré. Avec une caméra SWIR dédiée et une source SLD à faible cohérence, le MSA-650 IRIS est le premier système de mesure au monde doté de cette technologie brevetée pour visualiser les dispositifs encapsulés avec du silicium, mesurer les vibrations dans le plan avec une résolution jusqu'à 30 nm et en temps réel vibrations hors du plan jusqu'à 25 MHz avec une résolution de picomètre et inférieure.

Intégration de station de test pour la mesure de MEMS au niveau de la tranche
Image de caméra SWIR pure avec accéléromètre 2 axes (FHG ENAS) plus formes de déflexion opérationnelles capturées avec vibromètre laser Doppler à balayage
Analyse du mouvement plan d’un accéléromètre à 2 axes (FHG ENAS) et zoom jusqu’à 50x pour une vue détaillée
Principe de mesure IRIS MSA-650 pour l'analyse à l'intérieur de MEMS scellés
Système MSA-650 IRIS comprenant une tête de capteur IR, un front-end incluant générateur de fonctions et DMS, logiciel d'analyse, support optionnel et palier de positionnement XY
Polytec MSA-650 IRIS intégré dans une station de sondage MPI

Utilisez la technologie de pointe dans l'analyse des vibrations

Afin d'utiliser la vibrométrie Laser Doppler (LDV) pour étudier les MEMS encapsulés, il est nécessaire d'étudier les propriétés optiques du silicium. Alors que le silicium est opaque pour la lumière visible, il montre une bonne transmission dans le proche infrarouge à partir d'environ 1050 nm. Une limitation pour la transmission cependant, est l'indice de réfraction élevé d'environ 3,4 à 1550 nm conduisant à des réflexions de Fresnel considérables aux interfaces limites.

L'innovation brevetée de Poyltec utilise une lumière cohérente courte pour améliorer la précision. Contrairement à la lumière laser, la faible lumière cohérente d'une diode à superluminescence n'interfère que si les trajets lumineux dans l'interféromètre sont équilibrés dans la longueur de cohérence de la source. Excluant ainsi la lumière de l'extérieur du foyer. Ce principe est utilisé dans les interféromètres à lumière blanche ou pour la tomographie par cohérence optique et maintenant pour la première fois dans la vibrométrie laser Doppler (LDV). Permettant le balayage des mesures LDV avec une bande passante de 25 MHz et une résolution d'amplitude de 100 fm/√Hz sur des MEMS encapsulés.

Image de caméra SWIR de l'accéléromètre à 2 axes (FHG ENAS) avec formes de déviation opérationnelle capturées avec un vibromètre laser Doppler à balayage
Benefits

Detect hermetic seal failures before they become field failures

Catching hermetic seal failures early in the development and production cycle saves time, reduces costs, and protects your brand reputation. With MSA-650 IRIS, you can perform comprehensive mechanical quality assessment through intact silicon caps—from design verification to wafer-level screening—ensuring MEMS reliability before devices leave your facility.

Validate your mems design before production – not after failure

With MSA-650 IRIS, verify finite element models against real device behavior in fully encapsulated MEMS – without destructive decapping. Measure eigenmode shapes, resonance frequencies, and stress-induced shifts through intact silicon caps with picometer resolution. Catch design errors in weeks instead of months, reduce prototype iterations and achieve first-pass design success. Transform simulation from educated guesswork into confident prediction, saving development costs and accelerating time-to-market.

Know your true Q-factor – guarantee hermetic performance

MSA-650 IRIS delivers direct mechanical Q-factor measurements through silicon caps, revealing the actual damping and vacuum integrity that electrical tests cannot see. Detect packaging leaks within hours instead of months, distinguish mechanical Q from electrical artifacts, and establish quantitative acceptance criteria for hermetic sealing. Reduce field failures, eliminate costly reliability surprises, and provide objective quality metrics that protect brand reputation and regulatory compliance.

Eliminate packaging stress surprises – lock in frequency stability

MSA-650 IRIS reveals packaging-induced frequency shifts and stress distributions in real-time, enabling you to optimize die-attach materials, cure profiles, and assembly processes with quantitative feedback. Measure resonance frequency shifts caused by thermal stress, identify optimal adhesive thickness, and validate stress-isolation structures – all through intact silicon caps. Reduce frequency scatter, achieve specification compliance in first parts, and cut calibration costs by minimizing compensable drift.

Test smart at wafer level – ship only known-good devices

Integrate MSA-650 IRIS with your probe station for automated mechanical quality control – before packaging investment. Screen up to 100% of dies for resonance frequency, mode shape integrity, and Q-factor compliance in production-compatible cycle times. Detect silicon cap delamination, vacuum seal failures, and structural defects that electrical tests cannot see. Improve outgoing quality, reduce field returns, and protect your brand by shipping only mechanically validated devices.

Solve failures faster – see the root cause without destruction

MSA-650 IRIS enables non-destructive failure analysis of packaged MEMS through intact silicon caps, preserving evidence while revealing the mechanical root cause. Identify stuck resonators, quantify abnormal damping, detect cap delamination, and distinguish design failures from process excursions – all without decapsulation artifacts. Reduce failure investigation time, implement corrective actions based on real evidence, and demonstrate continuous improvement to customers and regulators with quantitative mechanical data.

Caractérisation optique MSA-650 IRIS des MEMS à capuchon en silicium

Découvrez les capacités uniques du vibromètre laser Doppler IRIS Polytec MSA-650 pour la mesure précise et sans contact des dispositifs MEMS encapsulés. Voyez comment la technologie IR avancée permet une analyse précise des vibrations même à travers des matériaux difficiles.

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