MEMS の研究開発では、デバイスの設計 > シミュレーション > 試作 > 試験へと工程が進められていきます。シミュレーションには正確なモデルが必要であり、正確なモデルを構築するには正確な実験データとの比較検証が必要です。光をプローブとして利用するポリテックの MEMS 計測システムでは、MEMS デバイスに物理的な影響を全く与えずに計測することができます。

MEMS デバイスを環境チャンバや真空チャンバ内に設置し、機械的な加振、放射、温度、湿度、気圧など特定のストレスにさらして行われる信頼性試験は、デバイス開発における非常に重要なタスクです。ポリテックの MSA-500 マイクロシステム アナライザは、長い測定距離でこれらのチャンバ等と組み合わせて計測でき、特定の環境下における MEMS デバイスの静的・動的な特性を評価できます。

MEMS デバイスの製造プロセスの制御は、製造パラメータとそれが外寸に与える影響、および材料パラメータに関する情報が不可欠です。例えば、SOI （silicon-on-insulator） 技術を応用し 3 次元構造を持つ MEMS センサやアクチュエータを製造する場合、事前の開発段階においてデバイスの表面形状解析を行う必要があります。

ウェハレベル検査を実施すると、パッケージ前にデバイスの特性評価と選別を行うことができ、MEMS の製造コストを節約できます。MSA-500 マイクロシステム アナライザはスタンドアロンでの使用だけでなく、オート / セミオート プローバとも容易に統合できるため、ウェハレベルでのデバイス評価に最適です。迅速な計測で高い生産性を実現、製造プロセスを監視する重要な検査システムとして役立ちます。