Unsere CV- und IV-Messgeräte erschließen, ohne zusätzliche Metallisierungsschritte, ein breites Spektrum der elektrischen Charakterisierung unterschiedlichster Materialien, wie Oxide, Dielektrika, Schichten auf leitenden und isolierenden Substraten sowie SOI-Wafer.
Das einzigartige Messkopfkonzept bietet eine wiederholbare und präzise definierte Kontaktflächengröße, kombiniert mit herausragender Sicherheit und Sauberkeit im Umgang mit dem Kontaktmaterial Quecksilber. Ein besonderer Mechanismus ermöglicht die Verwendung einzelner Quecksilberreservoire über lange Zeiträume hinweg. Abhängig von der Anwendung können unterschiedlichste Kontaktgeometrien realisiert werden.
Die Vielzahl möglicher Messmethoden erschließen einen weiten Bereich der Probencharakterisierung, wie die
- Überwachung der Oxid-Integrität
- Erstellung von Dotierprofilen
- Messung von Ladungsträger-Lebenszeiten
- Widerstandsbestimmung von quasi-isolierenden Materialien
- Charakterisierung von SOI Strukturen
- Untersuchung ferroelektrische Materialien
- Poly-Silizium Charakterisierung
Rechteck-Pulse kommen zur Messung von quasistatischen-, als auch HF-Kapazitäten zur Anwendung. Die Vorteile liegen unter anderem in der Unempfindlichkeit gegenüber Reihenwiderständen. Auch die Justage der Phase, wie bei Verwendung von Sinusspannungen notwendig, wird überflüssig.
Anschlüsse für vorhandene externe Messgeräte erhöhen die Flexibilität im Einsatz. |
