Unsere Quecksilberkontakt CV- und IV-Messgeräte erschließen ein breites Spektrum der elektrischen Charakterisierung unterschiedlichster Schichten, wie Oxide, Dielektrika, Schichten auf leitenden und isolierenden Substraten oder SOI-Wafer.

Das besondere Messkopfkonzept bietet eine wiederholbare und präzise definierte Kontaktflächengröße, kombiniert mit herausragender Sicherheit und Sauberkeit im Umgang mit dem Kontaktmaterial Quecksilber. Abhängig von der Anwendung können unterschiedlichste Kontaktgeometrien realisiert werden.

Die Vielzahl möglicher Messmethoden erschließen einen weiten Bereich der Probencharakterisierung, wie die

- Überwachung der Oxid-Integrität und -Qualität

- Erstellung von Dotierprofilen

- Messung der Ladungsträger-Lebensdauer

- Widerstandsbestimmung von quasi-isolierenden Materialien

- Charakterisierung von SOI Strukturen

- Untersuchung ferroelektrischer Materialien

- Poly-Silizium Charakterisierung

Rechteck-Pulse kommen zur Messung der quasistatischen-, als auch HF-Kapazität zur Anwendung. Die Vorteile liegen unter anderem in der Unempfindlichkeit gegenüber dem Reihenwiderstand.

Anschlüsse für vorhandene externe HF-Sinusquellen erhöhen die Flexibilität
im Einsatz.